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上城发电机维修400KW--中动电力

文章来源:l13335093736 发布时间:2024-05-02 19:51:30

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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性,控制电路的导通和断来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFETRds(on)已经能够到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。


从而控制外部两条独立的收发信号线RXD(P3.0)、TXD(P3.1),同时发送、接收数据,实现全双工。串行口控制寄存器SCON(见表1)。表1SCON寄存器表中各位(从左至右为从高位到低位)含义如下。SM0和SM1:串行口工作方式控制位,其定义如表2所示。表2串行口工作方式控制位其中,fOSC为单片机的时钟频率;波特率指串行口每秒钟发送(或接收)的位数。SM2:多机通信控制位。该仅用于方式2和方式3的多机通信。